科思特CS350M電化學(xué)工作站硬件特點(diǎn)
? 電流控制范圍：±2.0A
? 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
? 高帶寬高輸入阻抗的放大器
? 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
? 高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
? 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz
? 電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
? 雙道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
科思特CS350M電化學(xué)工作站應(yīng)用
? 電化學(xué)分析研究
? 金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)
? 緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)
? 電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究
? 能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、先進(jìn)功能材料以及傳感器的性能研究
科思特CS350M電化學(xué)工作站硬件參數(shù)指標(biāo)
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恒電位控制范圍
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±10V
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恒電流控制范圍
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±2.0A
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電位控制精度
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0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
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電流控制精度
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0.1%×滿量程讀數(shù)
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電位靈敏度
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10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
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電流靈敏度
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1pA
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電位上升時(shí)間
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﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)
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電流量程
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2nA～2A, 共10檔
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參比電極輸入阻抗
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1012Ω||20pF
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較大輸出電流
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2.0A
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槽壓輸出
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±21V
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電流掃描增量
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1mA @1A/mS
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CV和LSV掃描速度
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0.001mV～10000V/s
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電位掃描電位增量
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0.076mV @1V/mS
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CA和CC脈沖寬度
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0.0001～65000s
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DPV和NPV脈沖寬度
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0.0001～1000s
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SWV頻率
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0.001～100KHz
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CV的較小電位增量
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0.020mV
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AD數(shù)據(jù)采集
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[email protected]，20bit @1KHz
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電流與電位量程
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自動(dòng)設(shè)置
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DA分辨率
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16bit，建立時(shí)間：1μS
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低通濾波器
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8段可編程
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通訊接口
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USB2.0、RJ45網(wǎng)口
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儀器重量
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7.6Kg
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外形尺寸（cm）
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36.4(W)*32.0(D)*13.8(H)
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科思特CS350M電化學(xué)工作站電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
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信號(hào)發(fā)生器
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頻率響應(yīng)
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10μHz～1MHz
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頻率精度
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0.005%
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交流信號(hào)幅值
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1mV～2500mV
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信號(hào)分辨率
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0.1mV RMS
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DDS輸出阻抗
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50Ω
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正弦波失真率
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<1%
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直流偏壓
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-10V～+10V
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波形
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正弦波，三角波，方波
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掃描方式
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對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
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信號(hào)分析器
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較大積分時(shí)間
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106個(gè)循環(huán)或者105S
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較小積分時(shí)間
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10mS 或者一個(gè)循環(huán)的較長(zhǎng)時(shí)間
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測(cè)量時(shí)間延遲
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0～105秒
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直流偏置補(bǔ)償
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電位補(bǔ)償范圍
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-10V～+10V
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電流補(bǔ)償范圍
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-1A～+1A
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帶寬調(diào)整
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自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)
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科思特CS350M電化學(xué)工作站配置
電腦（選配*）
儀器主機(jī)1臺(tái)
電極電纜線1條
模擬電解池1個(gè)
電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
關(guān)鍵詞：武漢科思特儀器、大電流電化學(xué)工作站、燃料電池、電解水、CS350M、電化學(xué)工作站、科思特CS350M電化學(xué)工作站
